FDD8444L
MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA
FDD8444L Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
40 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
الحزمة / القضية：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد：
TO-252AA
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
3V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
60 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
5.2mOhm @ 50A, 10V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
153W (Tc)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
16A (Ta), 50A (Tc)
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
5530 pF @ 25 V
