BSC016N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
BSC016N03LSGATMA1 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
30 V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
2.2V @ 250µA
الحزمة / القضية：
8-PowerTDFN
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
131 nC @ 10 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
2.5W (Ta), 125W (Tc)
حزمة جهاز المورد：
PG-TDSON-8-1
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
1.6mOhm @ 30A, 10V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
32A (Ta), 100A (Tc)
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
10000 pF @ 15 V
