IXDN75N120
IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
IXDN75N120 Specifications
نوع التركيب：
Chassis Mount
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 150°C (TJ)
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)：
1200 V
إعدادات：
Single
مدخل：
Standard
الحزمة / القضية：
SOT-227-4, miniBLOC
حزمة جهاز المورد：
SOT-227B
إن تي سي الثرمستور：
No
نوع اي بي تي：
NPT
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)：
4 mA
الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)：
150 A
سعة الإدخال (Cies) @ Vce：
5.5 nF @ 25 V
أقصى القوة：
660 W
Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic：
2.7V @ 15V, 75A
