SI4814BDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC
رقم الجزء:
SI4814BDY-T1-E3
صانع:
Vishay / Siliconix
تصنيف .:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC
روهس:
YES
SI4814BDY-T1-E3 مواصفة
نوع التركيب:
Surface Mount
حزمة جهاز المورد:
8-SOIC
الحزمة / القضية:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
تكنولوجيا:
MOSFET (Metal Oxide)
ميزة FET:
Logic Level Gate
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss):
30V
درجة حرارة التشغيل:
-55°C ~ 150°C (TJ)
إعدادات:
2 N-Channel (Half Bridge)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف:
3V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs:
10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs:
18mOhm @ 10A, 10V
أقصى القوة:
3.3W, 3.5W
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية:
10A, 10.5A
استفسار سريع
الشركة المصنعة القياسية التسليم:غير محدد
معيار كمية التعبئة والتغليف:1600
الكمية
سعر الوحدة
الأسعار الدولية
نصيحة => يرجى ملء النموذج أدناه . سوف نتصل بك في أقرب وقت ممكن .
اسم الشركة:
من فضلك أدخلاسم الشركة
اسم:
من فضلك أدخلاسم
تلفون .:
من فضلك أدخلتلفون .
صندوق البريد:
من فضلك أدخلصندوق البريد
الكمية:
من فضلك أدخلالكمية
وصف:
من فضلك أدخلوصف
رمز التحقق:
الرجاء إدخال رمز التحقق