IPB77N06S3-09
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
IPB77N06S3-09 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Operating Temperature：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
55 V
Package / Case：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power Dissipation (Max)：
107W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
77A (Tc)
Supplier Device Package：
PG-TO263-3-2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
103 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 55µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
5335 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
8.8mOhm @ 39A, 10V
