FCA20N60F
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
FCA20N60F Specifications
Mounting Type：
Through Hole
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max)：
±30V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5V @ 250µA
Package / Case：
TO-3P-3, SC-65-3
Drain to Source Voltage (Vdss)：
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
20A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
98 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
190mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package：
TO-3PN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3080 pF @ 25 V
