FDZ193P
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
FDZ193P Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type：
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)：
20 V
Vgs (Max)：
±12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
3A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
10 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
1.9W (Ta)
Supplier Device Package：
6-WLCSP (1x1.5)
Package / Case：
6-UFBGA, WLCSP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
660 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
90mOhm @ 1A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
1.7V, 4.5V
