BSC032N03S
MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
BSC032N03SEspecificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Paquete / Estuche：
8-PowerTDFN
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
23A (Ta), 100A (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TDSON-8-1
Disipación de energía (máx.)：
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2V @ 70µA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
3.2mOhm @ 50A, 10V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
39 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
5080 pF @ 15 V
