BTS282ZAKSA1
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
BTS282ZAKSA1Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Temperatura de funcionamiento：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Disipación de energía (máx.)：
300W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
80A (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
4800 pF @ 25 V
Función FET：
Temperature Sensing Diode
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
49 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
6.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2V @ 240µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
232 nC @ 10 V
Paquete / Estuche：
TO-220-7
Paquete de dispositivo del proveedor：
P-TO220-7-3
