IPB80N06S3-07
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPB80N06S3-07Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
55 V
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
80A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
170 nC @ 10 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO263-3-2
Disipación de energía (máx.)：
135W (Tc)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 80µA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
6.5mOhm @ 51A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
7768 pF @ 25 V
