IPI09N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO262-3
IPI09N03LAEspecificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
25 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
50A (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO262-3
Disipación de energía (máx.)：
63W (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
9.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2V @ 20µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
13 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1642 pF @ 15 V
