IPI25N06S3-25
MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
IPI25N06S3-25Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
55 V
Paquete / Estuche：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
25A (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO262-3
Disipación de energía (máx.)：
48W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
41 nC @ 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 20µA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1862 pF @ 25 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
25.1mOhm @ 15A, 10V
