IPP06CN10N G
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
IPP06CN10N GEspecificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Paquete / Estuche：
TO-220-3
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
139 nC @ 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 180µA
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO220-3
Disipación de energía (máx.)：
214W (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
9200 pF @ 50 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
6.5mOhm @ 100A, 10V
