IPP091N06N G
MOSFET N-CHAN TO-220
IPP091N06N GEspecificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Paquete / Estuche：
TO-220-3
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
80A (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO220-3
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
81 nC @ 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 130µA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2800 pF @ 30 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
9.1mOhm @ 80A, 10V
