IPP77N06S3-09
MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
IPP77N06S3-09Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Paquete / Estuche：
TO-220-3
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
55 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO220-3-1
Disipación de energía (máx.)：
107W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
77A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
103 nC @ 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 55µA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
9.1mOhm @ 39A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
5335 pF @ 25 V
