IPP80N06S3L-08
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IPP80N06S3L-08Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Paquete / Estuche：
TO-220-3
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
55 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
5V, 10V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
80A (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO220-3-1
Vgs (máx.)：
±16V
Disipación de energía (máx.)：
105W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
134 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
7.9mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.2V @ 55µA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
6475 pF @ 25 V
