IPU09N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
IPU09N03LB GEspecificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Paquete / Estuche：
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
50A (Tc)
Disipación de energía (máx.)：
58W (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO251-3-21
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2V @ 20µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
13 nC @ 5 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
9.3mOhm @ 50A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1600 pF @ 15 V
