IPW60R045CPFKSA1
MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3
IPW60R045CPFKSA1Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
650 V
Paquete / Estuche：
TO-247-3
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
60A (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO247-3-1
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
190 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
45mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3.5V @ 3mA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
6800 pF @ 100 V
Disipación de energía (máx.)：
431W (Tc)
