SPB47N10
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
SPB47N10Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
47A (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO263-3-2
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
105 nC @ 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 2mA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2500 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)：
175W (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
33mOhm @ 33A, 10V
