SPD15N06S2L-64

MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3

SPD15N06S2L-64
Número de pieza:
SPD15N06S2L-64
Categoría de productos:
IR (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
Estado ROHS:
No

SPD15N06S2L-64Especificaciones

Tipo de montaje:
Surface Mount
Tipo FET:
N-Channel
Tecnología:
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado):
4.5V, 10V
Vgs (máx.):
±20V
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Estuche:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss):
55 V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs:
13 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
19A (Tc)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.:
2V @ 14µA
Paquete de dispositivo del proveedor:
PG-TO252-3-11
Disipación de energía (máx.):
47W (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs:
64mOhm @ 8A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
445 pF @ 25 V

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