SPD50N06S2L-13
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
SPD50N06S2L-13Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
55 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
50A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
69 nC @ 10 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO252-3-11
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2300 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)：
136W (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
12.7mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2V @ 80µA
