SPI42N03S2L-13
MOSFET N-CH 30V 42A TO262-3
SPI42N03S2L-13Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Paquete / Estuche：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Disipación de energía (máx.)：
83W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
42A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
30.5 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
12.9mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2V @ 37µA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1130 pF @ 25 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO262-3-1
