SPP02N60S5HKSA1
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO220-3
SPP02N60S5HKSA1Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-220-3
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
1.8A (Tc)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
600 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO220-3-1
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
3Ohm @ 1.1A, 10V
Disipación de energía (máx.)：
25W (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
240 pF @ 25 V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
9.5 nC @ 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
5.5V @ 80µA
