SPP20N60CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
SPP20N60CFDXKSA1Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-220-3
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
650 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO220-3-1
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2400 pF @ 25 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
124 nC @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
208W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
20.7A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
220mOhm @ 13.1A, 10V
