HAT2174H-EL-E
MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
HAT2174H-EL-EEspecificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
8V, 10V
Paquete / Estuche：
SC-100, SOT-669
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
20A (Ta)
Paquete de dispositivo del proveedor：
LFPAK
Disipación de energía (máx.)：
20W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
33.5 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
27mOhm @ 10A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2280 pF @ 10 V
