MTB50P03HDLG
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
MTB50P03HDLGEspecificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2V @ 250µA
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor：
D2PAK
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
5V
Vgs (máx.)：
±15V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
50A (Tc)
Disipación de energía (máx.)：
2.5W (Ta), 125W (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
4900 pF @ 25 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
25mOhm @ 25A, 5V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
100 nC @ 5 V
