NTB18N06G

MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

NTB18N06G
Número de pieza:
NTB18N06G
Categoría de productos:
Sanyo Semiconductor/onsemi
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
Estado ROHS:
No

NTB18N06GEspecificaciones

Tipo de montaje:
Surface Mount
Tipo FET:
N-Channel
Tecnología:
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss):
60 V
Vgs (máx.):
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado):
10V
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.:
4V @ 250µA
Paquete / Estuche:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor:
D2PAK
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
15A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs:
22 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
450 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.):
48.4W (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs:
90mOhm @ 7.5A, 10V

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