NTB25P06G
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
NTB25P06GEspecificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 250µA
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor：
D2PAK
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)：
±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1680 pF @ 25 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
27.5A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
82mOhm @ 25A, 10V
Disipación de energía (máx.)：
120W (Tj)
