NTB30N20
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
NTB30N20Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (máx.)：
±30V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 250µA
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor：
D2PAK
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
200 V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
100 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
30A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
81mOhm @ 15A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2335 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)：
2W (Ta), 214W (Tc)
