NTB65N02R
MOSFET N-CH 25V 65A D2PAK
NTB65N02REspecificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2V @ 250µA
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor：
D2PAK
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
25 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
65A (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1330 pF @ 20 V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
9.5 nC @ 4.5 V
Disipación de energía (máx.)：
1.04W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
8.2mOhm @ 30A, 10V
