NTD24N06-1G
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
NTD24N06-1GEspecificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 250µA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1200 pF @ 25 V
Paquete / Estuche：
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Paquete de dispositivo del proveedor：
IPAK
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
48 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
24A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
42mOhm @ 10A, 10V
Disipación de energía (máx.)：
1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
