NTD5406NT4G
MOSFET N-CH 40V 12.2A/70A DPAK
NTD5406NT4GEspecificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
40 V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
45 nC @ 10 V
Paquete / Estuche：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor：
DPAK
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
5V, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3.5V @ 250µA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
10mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.)：
3W (Ta), 100W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
12.2A (Ta), 70A (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2500 pF @ 32 V
