NTD60N02RG
MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A DPAK
NTD60N02RGEspecificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor：
DPAK
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2V @ 250µA
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
25 V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
14 nC @ 4.5 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
8.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
10.5mOhm @ 20A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1330 pF @ 20 V
Disipación de energía (máx.)：
1.25W (Ta), 58W (Tc)
