NTD6600NT4
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
NTD6600NT4Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor：
DPAK
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2V @ 250µA
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
5V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
20 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
700 pF @ 25 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
12A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
146mOhm @ 6A, 5V
Disipación de energía (máx.)：
1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
