NTD78N03G
MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A DPAK
NTD78N03GEspecificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor：
DPAK
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3V @ 250µA
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
25 V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
35 nC @ 4.5 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
11.4A (Ta), 78A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
6mOhm @ 78A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2250 pF @ 12 V
Disipación de energía (máx.)：
1.4W (Ta), 64W (Tc)
