NTD95N02R-1G
MOSFET N-CH 24V 12A/32A IPAK
NTD95N02R-1GEspecificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2V @ 250µA
Paquete / Estuche：
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Paquete de dispositivo del proveedor：
IPAK
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
5mOhm @ 20A, 10V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
21 nC @ 4.5 V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
24 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2400 pF @ 20 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
12A (Ta), 32A (Tc)
Disipación de energía (máx.)：
1.25W (Ta), 86W (Tc)
