NTF3055-100T3G
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
NTF3055-100T3GEspecificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 250µA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
3A (Ta)
Disipación de energía (máx.)：
1.3W (Ta)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
22 nC @ 10 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
SOT-223 (TO-261)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
110mOhm @ 1.5A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
455 pF @ 25 V
