NTHD3102CT1G
MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET
NTHD3102CT1GEspecificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete / Estuche：
8-SMD, Flat Lead
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración：
N and P-Channel
Función FET：
Logic Level Gate
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1.2V @ 250µA
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20V
Potencia - Máx.：
1.1W
Paquete de dispositivo del proveedor：
ChipFET™
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
4A, 3.1A
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
7.9nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
510pF @ 10V
