NTMD6P02R2SG
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
NTMD6P02R2SGEspecificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-SOIC
Paquete / Estuche：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Función FET：
Logic Level Gate
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1.2V @ 250µA
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20V
Configuración：
2 P-Channel (Dual)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
4.8A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
35nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1700pF @ 16V
Potencia - Máx.：
750mW
