NTMFS4701NT1G
MOSFET N-CH 30V 7.7A 5DFN
NTMFS4701NT1GEspecificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Estuche：
8-PowerTDFN, 5 Leads
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3V @ 250µA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
7.7A (Ta)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
15 nC @ 4.5 V
Disipación de energía (máx.)：
900mW (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
8mOhm @ 20A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1280 pF @ 24 V
