NTR2101PT1
MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT23-3
NTR2101PT1Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Paquete / Estuche：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (máx.)：
±8V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1V @ 250µA
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.8V, 4.5V
Paquete de dispositivo del proveedor：
SOT-23-3 (TO-236)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
8 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
3.7A (Ta)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
15 nC @ 4.5 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)：
960mW (Ta)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1173 pF @ 4 V
