APT56M50B2
MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX
APT56M50B2Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (máx.)：
±30V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
5V @ 2.5mA
Paquete / Estuche：
TO-247-3 Variant
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
500 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
8800 pF @ 25 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
56A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
220 nC @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
780W (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
100mOhm @ 28A, 10V
Paquete de dispositivo del proveedor：
T-MAX™
