APT60N60BCSG
MOSFET N-CH 600V 60A TO247
APT60N60BCSGEspecificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (máx.)：
±30V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
600 V
Paquete / Estuche：
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-247 [B]
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
60A (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
7200 pF @ 25 V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
190 nC @ 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3.9V @ 3mA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
45mOhm @ 44A, 10V
Disipación de energía (máx.)：
431W (Tc)
