IXFN150N15
MOSFET N-CH 150V 150A SOT227B
IXFN150N15Especificaciones
Tipo de montaje：
Chassis Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
SOT-227-4, miniBLOC
Paquete de dispositivo del proveedor：
SOT-227B
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
150 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
150A (Tc)
Disipación de energía (máx.)：
600W (Tc)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 8mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
360 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
9100 pF @ 25 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
12.5mOhm @ 75A, 10V
