ZXMN2B03E6TA
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
ZXMN2B03E6TAEspecificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor：
SOT-23-6
Paquete / Estuche：
SOT-23-6
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Vgs (máx.)：
±8V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1V @ 250µA
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.8V, 4.5V
Disipación de energía (máx.)：
1.1W (Ta)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
4.3A (Ta)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
14.5 nC @ 4.5 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1160 pF @ 10 V
