IXTN320N10T
MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B
IXTN320N10TEspecificaciones
Tipo de montaje：
Chassis Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Paquete / Estuche：
SOT-227-4, miniBLOC
Paquete de dispositivo del proveedor：
SOT-227B
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4.5V @ 1mA
Disipación de energía (máx.)：
680W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
320A (Tc)
