IXFA7N80P

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IXFA7N80P

MOSFET N-CH 800V 7A TO263

Número de pieza：

IXFA7N80P

Modelo alternativo：

IXFA7N80P-TRL , R8005ANJGTL , STB9NK80Z , STB7NK80ZT4

Fabricante：

Wickmann / Littelfuse

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 800V 7A TO263

RoHS：

YES

：

IXFA7N80P

IXFA7N80P Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs (máx.)：

±30V

Paquete / Estuche：

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

800 V

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

32 nC @ 10 V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

5V @ 1mA

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

7A (Tc)

Disipación de energía (máx.)：

200W (Tc)

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-263AA (IXFA)

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

1890 pF @ 25 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

1.44Ohm @ 3.5A, 10V

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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：1857

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

1

4.19

4.19

50

3.32

166

100

2.85

285

500

2.53

1265

1000

2.17

2170

2000

2.05

4100

5000

1.96

9800

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