IXFP5N50PM
MOSFET N-CH 500V 3.2A TO220AB
Número de pieza：
IXFP5N50PM
Fabricante：
Littelfuse / IXYS RF
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 500V 3.2A TO220AB
RoHS：
NO
IXFP5N50PM Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-220-3
Vgs (máx.)：
±30V
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-220-3
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
500 V
Disipación de energía (máx.)：
38W (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
620 pF @ 25 V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
12.6 nC @ 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
5.5V @ 500µA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
3.2A (Tc)
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