SI7465DP-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Número de pieza：
SI7465DP-T1-E3
Modelo alternativo：
SI7172DP-T1-GE3 , VLMY30K2M1-GS08 , 5-1814832-2 , DPBW03G-12 , B560C-13-F , DMN6140L-7 , TLP152(TPL , E , EHF-108-01-F-D-RA , B2100AF-13 , SP1001-05JTG , PES1-S5-S5-M-TR , V8P10-M3/86A , EVQ-Q2U02W , SHHD003A0A41Z , LTC3824EMSE#PBF
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
RoHS：
YES
SI7465DP-T1-E3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Disipación de energía (máx.)：
1.5W (Ta)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3V @ 250µA
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® SO-8
Paquete / Estuche：
PowerPAK® SO-8
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
40 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
3.2A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
64mOhm @ 5A, 10V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：22940
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
3000
0.57
1710
6000
0.55
3300
9000
0.53
4770
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