EM6K6T2R
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Número de pieza：
EM6K6T2R
Modelo alternativo：
XZCMEDGCBD56W , RB520CM-30T2R , BTE-040-01-F-D-A , FX10A-168P-SV1(71) , BU4230FVE-TR , DM3BT-DSF-PEJS , NHDTC143ZUX , PM20B05VBDN , 3214X-1-102E , APHHS1005LSECK/J3-PF , FX10A-168P-SV(71) , FM20B05VBDN , PJ-057AH , APHD1608LCGCK , SIR870BDP-T1-RE3
Fabricante：
ROHM Semiconductor
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Descripción：
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
RoHS：
YES
EM6K6T2R Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Función FET：
Logic Level Gate
Configuración：
2 N-Channel (Dual)
Potencia - Máx.：
150mW
Paquete / Estuche：
SOT-563, SOT-666
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20V
Paquete de dispositivo del proveedor：
EMT6
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
300mA
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1V @ 1mA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
25pF @ 10V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
1Ohm @ 300mA, 4V
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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：12834
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
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1040
16000
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56000
0.11
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